Nieulotne pamięci FRAM dla przemysłu motoryzacyjnego
3 lutego 2017, 06:25Fujitsu przystosowało nowy rodzaj pamięci nieulotnej FRAM (Ferroelectric Random-Access Memory) do potrzeb rynku motoryzacyjnego. Japoński koncern poinformował, że jego nowy chip MB85RS256TY pracuje w pełnym zakresie temperatur wymaganych przez przemysł motoryzacyjny (od 125 do -40 stopni Celsjusza)
Szybkie i nieulotne
5 grudnia 2007, 23:29Japoński NEC informuje o opracowaniu najszybszych do tej pory układów pamięci MRAM (ang. Magnetoresistive Random Access Memory). Kości tego typu odznaczają się cechami, które mogą istotnie odmienić sposób, w jaki korzystamy z komputerów oraz wszelkich urządzeń cyfrowych. W obecnej postaci można już nimi bezpośrednio zastąpić pamięci statyczne (ang. Static RAM).
Freescale stawia na MRAM
9 czerwca 2008, 13:49Firma Freescale, duży producent półprzewodników, bardzo wierzy w rozwój pamięci magnetorezystywnych (MRAM). Jej wiara jest na tyle silna, że przedsiębiorstwo ogłosiło, iż powoła do życia osobną firmę zajmującą się tylko i wyłącznie badaniem nad MRAM-em.
Powstała pamięć RRAM?
10 lutego 2009, 11:55Mało znana australijska firma 4DS Inc. twierdzi, że wyprzedziła światowych gigantów i dokonała znaczącego przełomu na drodze do wyprodukowania pamięci rezystywnych (RRAM - resistive random access memory). Teraz przedsiębiorstwo szuka partnerów, którzy rozpoczną wraz z nim produkcję nowego typu pamięci uniwersalnej, czyli łączącej w sobie zalety pamięci flash (gęstość i przechowywanie danych bez konieczności odświeżania) i DRAM (szybkość pracy).
FeRAM bliżej upowszechnienia
21 kwietnia 2009, 15:39Amerykańscy naukowcy dokonali ważnego kroku na drodze do opracowania wydajnych, wytrzymałych, nieulotnych pamięci RAM. Rozpowszechnienie się tanich kości tego typu pozwoliłoby np. na błyskawiczne uruchomienie komputera czy rezygnację z tradycyjnego dysku twardego, gdyż dane przechowywane byłyby w układach pamięci.
Początek produkcji pamięci zmiennofazowych
22 września 2009, 13:45Samsung rozpoczął produkcję zmiennofazowych pamięci RAM (PRAM). Układy o pojemności 512 megabitów przeznaczone są dla telefonów komórkowych i innych niewielkich urządzeń zasilanych bateriami.
Poważne dziury w Windows 7 i Mac OS X
9 czerwca 2010, 14:56W przyszłym miesiącu, podczas konferencji Hack in the Box dwóch badaczy, Christophe Devine i Damien Aumaitre, chce ujawnić poważny błąd projektowy w Windows 7 i Mac OS X. Specjaliści znaleźli go w mechanizmie Direct Memory Access. Pozwala on na ominięcie wszystkich zabezpieczeń systemu.
Zbudują fabrykę memrystorów
1 września 2010, 16:04HP poinformowało o podpisaniu porozumienia z koreańską firmą Hynix Semiconductor, które przewiduje budowę fabryki memrystorów. Zakład ma rozpocząć produkcję w 2013 roku.
FeTRAM, kolejny konkurent dla pamięci flash
3 października 2011, 15:54Na Purdue University powstaje nowy rodzaj układów pamięci, które mają być szybsze od obecnie istniejących rozwiązań, a jednocześnie zużywać znacznie mniej energii niż kości flash. Pamięci łączą krzemowe nanokable z polimerem „ferroelektrycznym", który zmienia polaryzację pod wpływem pola elektrycznego.
Samsung zaprezentował pamięci PRAM
11 września 2006, 10:54Samsung Electronics pokazał nowy typ układów pamięci, które mają działać szybciej od obecnie stosowanych kości flash. Zmiennofazowe układy RAM (PRAM - phase-change random access memory) to pamięci nieulotne, co oznacza, że przechowywane w nich informacje nie zostają utracone po odłączeniu zasilania.
« poprzednia strona następna strona » 1 2 3 4 5 6 7 8 9 …
