Freescale stawia na MRAM
9 czerwca 2008, 13:49Firma Freescale, duży producent półprzewodników, bardzo wierzy w rozwój pamięci magnetorezystywnych (MRAM). Jej wiara jest na tyle silna, że przedsiębiorstwo ogłosiło, iż powoła do życia osobną firmę zajmującą się tylko i wyłącznie badaniem nad MRAM-em.
Powstała pamięć RRAM?
10 lutego 2009, 11:55Mało znana australijska firma 4DS Inc. twierdzi, że wyprzedziła światowych gigantów i dokonała znaczącego przełomu na drodze do wyprodukowania pamięci rezystywnych (RRAM - resistive random access memory). Teraz przedsiębiorstwo szuka partnerów, którzy rozpoczną wraz z nim produkcję nowego typu pamięci uniwersalnej, czyli łączącej w sobie zalety pamięci flash (gęstość i przechowywanie danych bez konieczności odświeżania) i DRAM (szybkość pracy).
FeRAM bliżej upowszechnienia
21 kwietnia 2009, 15:39Amerykańscy naukowcy dokonali ważnego kroku na drodze do opracowania wydajnych, wytrzymałych, nieulotnych pamięci RAM. Rozpowszechnienie się tanich kości tego typu pozwoliłoby np. na błyskawiczne uruchomienie komputera czy rezygnację z tradycyjnego dysku twardego, gdyż dane przechowywane byłyby w układach pamięci.
Początek produkcji pamięci zmiennofazowych
22 września 2009, 13:45Samsung rozpoczął produkcję zmiennofazowych pamięci RAM (PRAM). Układy o pojemności 512 megabitów przeznaczone są dla telefonów komórkowych i innych niewielkich urządzeń zasilanych bateriami.
Poważne dziury w Windows 7 i Mac OS X
9 czerwca 2010, 14:56W przyszłym miesiącu, podczas konferencji Hack in the Box dwóch badaczy, Christophe Devine i Damien Aumaitre, chce ujawnić poważny błąd projektowy w Windows 7 i Mac OS X. Specjaliści znaleźli go w mechanizmie Direct Memory Access. Pozwala on na ominięcie wszystkich zabezpieczeń systemu.
Zbudują fabrykę memrystorów
1 września 2010, 16:04HP poinformowało o podpisaniu porozumienia z koreańską firmą Hynix Semiconductor, które przewiduje budowę fabryki memrystorów. Zakład ma rozpocząć produkcję w 2013 roku.
FeTRAM, kolejny konkurent dla pamięci flash
3 października 2011, 15:54Na Purdue University powstaje nowy rodzaj układów pamięci, które mają być szybsze od obecnie istniejących rozwiązań, a jednocześnie zużywać znacznie mniej energii niż kości flash. Pamięci łączą krzemowe nanokable z polimerem „ferroelektrycznym", który zmienia polaryzację pod wpływem pola elektrycznego.
Samsung zaprezentował pamięci PRAM
11 września 2006, 10:54Samsung Electronics pokazał nowy typ układów pamięci, które mają działać szybciej od obecnie stosowanych kości flash. Zmiennofazowe układy RAM (PRAM - phase-change random access memory) to pamięci nieulotne, co oznacza, że przechowywane w nich informacje nie zostają utracone po odłączeniu zasilania.
Elpida wyprodukowała ReRAM
25 stycznia 2012, 09:39Elpida poinformowała o wyprodukowaniu pierwszego własnego prototypu pamięci ReRAM. Kość wykonano w technologii 50 nanometrów, a jej pojemność wynosi 64 megabity.
Superszybka pamięć IBM-a
15 lutego 2007, 14:30Podczas International Solid State Circuits Conference (ISSCC) IBM pokazał najszybszą w historii kość pamięci. Dzięki zastosowaniu nowej technologii układ eDRAM (Embedded Dynamic Random Access Memory) Błękitnego Giganta charakteryzuje się nie tylko najkrótszym czasem dostępu do danych, ale również ponadtrzykrotnie większą pojemnością niż analogiczne produkty konkurencji.
« poprzednia strona następna strona » 1 2 3 4 5 6 7 8 9 …
